NSS30070MR6T1G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 70mA, 700mA

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

PNP

Current Collector Cutoff Max

1μA ICBO

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

6

Polaritychannel Type

PNP

Hfemin

150

Max Breakdown Voltage

30V

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yayın Yılı

2005

Akım Değeri

-700mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Collector Current

700mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Terminal Sayısı

6

Voltage Rated Dc

-30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

342mW

Element Configuration

Single

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Parça Durumu

Active

Yüzey Montaj

YES

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Power Max

342mW