NSM80101MT1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN + Diode (Isolated)

Max Collector Current

500mA

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 10mA 1V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

400mW

Terminal Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Power Max

400mW

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2011

ECCN Kodu

EAR99

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Frequency Transition

150MHz

Polarity

NPN

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Current Collector Cutoff Max

100nA

Transition Frequency

150MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

6

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

JESD-609 Kodu

e3