NSM80100MT1G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Power Max

270mW

Yayın Yılı

2013

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Sayısı

6

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 10mA 1V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Max Collector Current

500mA

Max Power Dissipation

270mW

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

PNP

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Current Collector Cutoff Max

100nA

Transition Frequency

150MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Hfemin

120

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)

Frequency Transition

150MHz

JESD-609 Kodu

e3

Emitter Base Voltage Vebo

-4V

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Polaritychannel Type

PNP

Terminal Formu

GULL WING