NSL12AWT1

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vce Saturation Max Ib Ic

290mV @ 20mA, 1A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2002

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-170mV

Currentcollector Ic Max

2A

Gain Bandwidth Product

100MHz

Transistor Type

PNP

Temel Parça No

NSL12A

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

450mW

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 800mA 1.5 V

Max Collector Current

2A

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

JESD-609 Kodu

e0

Collector Base Voltage Vcbo

-12V

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

6

Polaritychannel Type

PNP

Collector Emitter Voltage Vceo

290mV

Number Of Elements

1

Akım Değeri

-3A

Kurşunsuz

Contains Lead

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Voltage Rated Dc

-12V

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)