NSBA144WDXV6T1G

Teknik Özellikler

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Resistor Base R1

47k Ω

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Hfemin

80

Terminal Formu

FLAT

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Max Power Dissipation

500mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Polarity

PNP

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Parça Durumu

Active

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Power Max

500mW

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

2

Terminal Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Qualification Status

Not Qualified

Current Collector Cutoff Max

500nA

Yayın Yılı

2012

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

JESD-609 Kodu

e3