NSBA115EDXV6T1G

Teknik Özellikler

Terminal Formu

FLAT

Max Power Dissipation

500mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Element Configuration

Dual

Hfemin

80

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Resistor Base R1

100k Ω

Max Collector Current

100mA

Power Dissipation

357mW

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

NSBA1*

Polarity

PNP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Collector Current

-100mA

Terminal Sayısı

6

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Resistor Emitter Base R2

100k Ω

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Radyasyon Dayanımı

No

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Max Breakdown Voltage

50V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Current Collector Cutoff Max

500nA