NRVB860MFST1G

Teknik Özellikler

Number Of Phases

1

Parça Durumu

Active

Montaj

Surface Mount

Average Rectified Current

8A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Terminal Sayısı

5

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reference Standard

AEC-Q101

Forward Voltage

800mV

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yayın Yılı

2013

Current Reverse Leakage Vr

150μA @ 60V

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

60V

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Additional Feature

LOW POWER LOSS

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Diode Element Material

SILICON

Output Currentmax

8A

Max Reverse Voltage Dc

60V

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

JESD-609 Kodu

e3

Peak Reverse Current

150μA

Terminal Formu

FLAT

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Case Connection

CATHODE

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Voltage Forward Vf Max If

800mV @ 8A

Number Of Elements

1

Diode Type

Schottky

Operating Temperature Junction

-55°C~175°C