NRVB830MFST3G

Teknik Özellikler

Voltage Forward Vf Max If

700mV @ 8A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Case Connection

CATHODE

Element Configuration

Single

Applications

EFFICIENCY

Operating Temperature Junction

-40°C~150°C

Diode Type

Schottky

Number Of Elements

1

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Formu

FLAT

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads

Peak Reverse Current

200μA

JESD-609 Kodu

e3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Forward Voltage

700mV

Reference Standard

AEC-Q101

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

Max Reverse Voltage Dc

30V

Output Currentmax

8A

Diode Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Additional Feature

LOW POWER LOSS

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Current Reverse Leakage Vr

200μA @ 30V

Yayın Yılı

2013

Parça Durumu

Active

Number Of Phases

1

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

5

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C