NRVB120ESFT1G

Teknik Özellikler

Diode Type

Schottky

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Number Of Elements

1

Max Forward Surge Current Ifsm

40A

Element Configuration

Single

Forward Current

1A

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

2

HTS Kodu

8541.10.00.80

Voltage Forward Vf Max If

530mV @ 1A

Temel Parça No

MBR120

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal Formu

FLAT

Kılıf / Paket

SOD-123

JESD-609 Kodu

e3

Peak Reverse Current

10μA

Genişlik

1.8mm

Kurşunsuz

Lead Free

Halogen Free

Halogen Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2005

Current Reverse Leakage Vr

10μA @ 20V

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

20V

Max Reverse Voltage Dc

20V

Output Currentmax

1A

Diode Element Material

SILICON

Peak Nonrepetitive Surge Current

40A

Yükseklik

880μm

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE

Terminal Pozisyonu

DUAL

Reference Standard

AEC-Q101

Pin Sayısı

2

Yüzey Montaj

YES

Uzunluk

2.9mm