NJVMJD50T4G

Teknik Özellikler

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Current Collector Cutoff Max

200μA

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Transistor Type

NPN

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 200mA, 1A

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Power Dissipation

1.56W

Frekans

10MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 300mA 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Base Voltage Vcbo

500V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

1.56W

Element Configuration

Single

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

SWITCHING

Max Collector Current

1A

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

2

Transition Frequency

10MHz

Temel Parça No

MJD50

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Case Connection

COLLECTOR

Gain Bandwidth Product

10MHz