NJVMJD122T4G-VF01

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Yayın Yılı

2005

Case Connection

COLLECTOR

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Reference Standard

AEC-Q101

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Temel Parça No

MJD122

Terminal Sayısı

2

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Polarity

NPN

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

100V

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 4A 4V

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 8A, 80mA

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Transistor Type

NPN - Darlington

Currentcollector Ic Max

8A

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Current Collector Cutoff Max

10μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Power Max

1.75W

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES