NGB8206N

Teknik Özellikler

Gateemitter Thr Voltagemax

2.1V

Yayın Yılı

2009

Td Onoff25c

-/5μs

Vceon Max Vge Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

JESD-609 Kodu

e0

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn Off Timenom Toff

18500 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

Ambalaj

Tube

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

390V

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Fall Timemax Tf

14000ns

Qualification Status

Not Qualified

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Power Max

150W

Current Collector Pulsed Icm

50A

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

2

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Transistor Application

AUTOMOTIVE IGNITION

Gateemitter Voltagemax

15V

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn80Pb20)

Rise Timemax

8000ns

Case Connection

COLLECTOR

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Test Conditions

300V, 9A, 1k Ω, 5V

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

NGB8206

Pin Sayısı

3

Turn On Time

6500 ns

Giriş Tipi

Logic

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Yüzey Montaj

YES