NDC7002N

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Terminal Sayısı

6

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

3mm

Yükseklik

900μm

Input Capacitance Ciss Max Vds

20pF @ 25V

Voltage Rated Dc

50V

Genişlik

1.7mm

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Dual

Gate Charge Qg Max Vgs

1nC @ 10V

Number Of Elements

2

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Kurşunsuz Kodu

yes

Turn Off Delay Time

11 ns

Direnç

2Ohm

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Number Of Channels

2

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Contact Plating

Tin

Akım Değeri

350mA

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

700mW

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Dual Supply Voltage

50V

Fall Time Typ

6 ns

Turn On Delay Time

6 ns

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Rise Time

6ns

Weight

36mg

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 510mA, 10V