MUN5230DW1T1G

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

1k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Frequency

10kHz

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

250mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Element Configuration

Dual

Uzunluk

2.2mm

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

Voltage Rated Dc

50V

Yükseklik

1mm

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Supply Voltage

50V

Resistor Emitter Base R2

1k Ω

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

2

Polarity

NPN

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Parça Durumu

Active

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Genişlik

1.35mm

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Output Current

100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Max Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

ECCN Kodu

EAR99