MUN5216DW1T1G

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

250mW

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

100mA

Element Configuration

Dual

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Yayın Yılı

2007

Pin Sayısı

6

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Max Output Current

100mA

Max Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Resistor Base R1

4.7k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polarity

NPN

Hfemin

160

Halogen Free

Halogen Free

Power Dissipation

187mW

Terminal Formu

GULL WING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 5mA 10V

Akım Değeri

100mA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Operating Supply Voltage

50V

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Pin Sayısı

6

Voltage Rated Dc

50V