MUN5211T1G

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Hfemin

35

Power Dissipation

310mW

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Resistor Base R1

10 k Ω

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Akım Değeri

100mA

Temel Parça No

MUN52**T

Max Breakdown Voltage

50V

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Max Power Dissipation

202mW

Radyasyon Dayanımı

No

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2006

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 10V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Voltage Rated Dc

50V

Contact Plating

Tin

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Reach Svhc

No SVHC