MUN5132DW1T1G

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

250mW

Yayın Yılı

2012

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

15 @ 5mA 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Resistor Base R1

4.7k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Terminal Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Element Configuration

Dual

Current Collector Cutoff Max

500nA

Pin Sayısı

6

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Hfemin

15

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Resistor Emitter Base R2

4.7k Ω

Max Collector Current

100mA

Halogen Free

Halogen Free

Continuous Collector Current

-100mA

Max Power Dissipation

250mW

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant