MUN2134T1

Teknik Özellikler

Power Dissipation

230mW

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

JESD-609 Kodu

e0

Pin Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Qualification Status

Not Qualified

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Resistor Base R1

22 k Ω

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Akım Değeri

-100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Formu

GULL WING

Hfemin

80

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Max Collector Current

100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Continuous Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

230mW

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

PNP

Voltage Rated Dc

-50V

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant