MSD601-ST1G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Qualification Status

Not Qualified

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

200mW

Terminal Formu

GULL WING

Power Dissipation

200mW

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2011

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Hfemin

290

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Akım Değeri

100mA

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

YES

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Parça Durumu

Obsolete

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

MSD601

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

290 @ 2mA 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polaritychannel Type

NPN

Kurşunsuz

Lead Free

Voltage Rated Dc

50V