MSD42WT1G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Halogen Free

Halogen Free

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Voltage Rated Dc

300V

Kurşunsuz

Lead Free

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polaritychannel Type

NPN

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 30mA 10V

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Temel Parça No

MSD42

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

300V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Application

AMPLIFIER

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Type

NPN

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Akım Değeri

150mA

Radyasyon Dayanımı

No

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

150mA

Contact Plating

Tin

Hfemin

25

Yayın Yılı

2007

Emitter Base Voltage Vebo

6V