MSB709-RT1

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

-45V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Kurşunsuz Kodu

no

Pin Sayısı

3

Power Max

200mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Terminal Sayısı

3

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

AMPLIFIER

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rated Dc

-45V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Transistor Type

PNP

Yayın Yılı

2005

Current Collector Cutoff Max

100nA

Akım Değeri

-100mA

Qualification Status

Not Qualified

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

JESD-609 Kodu

e0

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Pin Sayısı

3

Hfemin

210

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Element Configuration

Single

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Max Power Dissipation

200mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

210 @ 2mA 10V

Terminal Formu

GULL WING

Polaritychannel Type

PNP

Temel Parça No

MSB709

Kurşunsuz

Contains Lead

Emitter Base Voltage Vebo

7V