MSB1218A-RT1G

Teknik Özellikler

Transition Frequency

100MHz

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

150mW

Max Collector Current

100mA

Polaritychannel Type

PNP

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Hfemin

210

Terminal Formu

GULL WING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

210 @ 2mA 10V

Max Power Dissipation

150mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Voltage Rated Dc

-45V

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

-100mA

Current Collector Cutoff Max

100μA

Yayın Yılı

1997

Transistor Type

PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks