MPSW56RLRA

Teknik Özellikler

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 10mA, 250mA

Hfemin

100

Polaritychannel Type

PNP

Akım Değeri

-500mA

Transition Frequency

50MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

JESD-609 Kodu

e0

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

MPSW56

Max Collector Current

500mA

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Yayın Yılı

2009

Max Power Dissipation

1W

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Base Voltage Vcbo

-80V

Number Of Elements

1

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Gain Bandwidth Product

50MHz

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 250mA 1V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Currentcollector Ic Max

500mA