MPSW55

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 250mA 1V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Currentcollector Ic Max

500mA

Voltage Rated Dc

-60V

HTS Kodu

8541.29.00.75

Collector Base Voltage Vcbo

-60V

Number Of Elements

1

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Montaj Tipi

Through Hole

Gain Bandwidth Product

50MHz

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

MPSW55

Qualification Status

Not Qualified

Yayın Yılı

2009

Max Power Dissipation

1W

Max Collector Current

500mA

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Transistor Type

PNP

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 10mA, 250mA

Hfemin

100

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

JESD-609 Kodu

e0