MPSW45G

Teknik Özellikler

Power Dissipation

1W

Temel Parça No

MPSW45

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Max Collector Current

1A

Continuous Collector Current

1A

Yayın Yılı

2010

Frequency Transition

100MHz

Max Power Dissipation

1W

Yüzey Montaj

NO

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

NPN - Darlington

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Transition Frequency

100MHz

Akım Değeri

1A

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

JESD-609 Kodu

e1

Ambalaj

Bulk

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Kurşunsuz Kodu

yes

Emitter Base Voltage Vebo

12V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

25000 @ 200mA 5V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rated Dc

40V

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Polarity

NPN

Montaj Tipi

Through Hole

Number Of Elements

1

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5V

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Pin Sayısı

3