MPSW42

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Transistor Element Material

SILICON

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 30mA 10V

Terminal Sayısı

3

HTS Kodu

8541.29.00.75

Voltage Rated Dc

300V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Element Configuration

Single

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Number Of Elements

1

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Gain Bandwidth Product

50MHz

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation

1W

Qualification Status

Not Qualified

Temel Parça No

MPSW42

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

500mA

Max Power Dissipation

1W

Yayın Yılı

2009

Yüzey Montaj

NO

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Polaritychannel Type

NPN

Hfemin

25

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Transistor Type

NPN

Transition Frequency

50MHz