MPSW06G

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 250mA 1V

Terminal Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Voltage Rated Dc

80V

Yükseklik

6.35mm

Element Configuration

Single

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Obsolete

Current Collector Cutoff Max

500nA

Reach Svhc

Unknown

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

MPSW06

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2006

Uzunluk

6.35mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

4.535924g

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 10mA, 250mA

Akım Değeri

500mA

Transition Frequency

50MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Frekans

50MHz

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Number Of Elements

1

Gain Bandwidth Product

50MHz

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Power Dissipation

1W

Max Collector Current

500mA

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

NO

Max Power Dissipation

1W