MPSW05G

Teknik Özellikler

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Number Of Elements

1

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Obsolete

Gain Bandwidth Product

50MHz

Current Collector Cutoff Max

500nA

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 250mA 1V

Terminal Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

60V

Frekans

50MHz

Hfemin

80

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 10mA, 250mA

Transistor Type

NPN

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Application

AMPLIFIER

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

JESD-609 Kodu

e1

Ambalaj

Bulk

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Akım Değeri

500mA

Transition Frequency

50MHz

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1W

Yüzey Montaj

NO

Max Power Dissipation

1W

Yayın Yılı

2006