MPSW05

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2009

Max Power Dissipation

1W

Kurşunsuz

Contains Lead

Jedec95 Code

TO-226AE

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Max Collector Current

500mA

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

3

Qualification Status

Not Qualified

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

JESD-609 Kodu

e0

Ambalaj

Bulk

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transition Frequency

50MHz

Akım Değeri

500mA

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Hfemin

80

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 10mA, 250mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

AMPLIFIER

Element Configuration

Single

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

HTS Kodu

8541.29.00.75

Voltage Rated Dc

60V

Montaj

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Terminal Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 250mA 1V

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Obsolete

Gain Bandwidth Product

50MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240