MPSH10RLRPG

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Polaritychannel Type

NPN

Pin Sayısı

3

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)

Transition Frequency

650MHz

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Temel Parça No

MPSH10

Transistor Type

NPN

Voltage Rated Dc

25V

Max Power Dissipation

350W

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Power Dissipation

350W

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Akım Değeri

4mA

Frekans

650MHz

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Hfemin

60

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2007

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

650MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yüzey Montaj

NO

Emitter Base Voltage Vebo

3V

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 4mA 10V

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Power Max

350mW

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free