MPSA05RLRA

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

JESD-609 Kodu

e0

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Parça Durumu

Obsolete

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Through Hole

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn80Pb20)

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

500mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Yayın Yılı

2007

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gain Bandwidth Product

100MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Yüzey Montaj

NO

Voltage Rated Dc

60V

Max Power Dissipation

625mW

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Akım Değeri

500mA

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Hfemin

100

Kurşunsuz Kodu

no

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Collector Cutoff Max

100nA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Polaritychannel Type

NPN

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Pin Sayısı

3