MPS751ZL1G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

625mW

Kurşunsuz

Lead Free

Frekans

75MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Obsolete

Hfemin

75

Gain Bandwidth Product

75MHz

Voltage Rated Dc

-60V

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

75 @ 1A 2V

Akım Değeri

-2A

Max Collector Current

2A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Type

PNP

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e1

Montaj Tipi

Through Hole

Yüzey Montaj

NO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

75MHz

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 200mA, 2A

Terminal Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Element Configuration

Single

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Temel Parça No

MPS751

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

625mW

Polaritychannel Type

PNP