MPS6726G

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Transistor Type

PNP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Ambalaj

Bulk

Max Collector Current

1A

Akım Değeri

-1A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 1A 1V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Voltage Rated Dc

-30V

Hfemin

60

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

1W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Obsolete

Weight

4.535924g

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

6.35mm

Yayın Yılı

2000

Max Power Dissipation

1W

Number Of Elements

1

Genişlik

6.35mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Terminal Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 100mA, 1A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260