MPS651RLRMG

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

75 @ 1A 2V

Max Collector Current

2A

Akım Değeri

2A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Transistor Type

NPN

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

625mW

Frekans

75MHz

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Hfemin

75

Voltage Rated Dc

60V

Gain Bandwidth Product

75MHz

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Temel Parça No

MPS651

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Max Power Dissipation

625mW

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Application

AMPLIFIER

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2007

JESD-609 Kodu

e1

Montaj Tipi

Through Hole

Yüzey Montaj

NO

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV