MPS650ZL1G

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Transition Frequency

75MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Terminal Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 200mA, 2A

Yüzey Montaj

NO

JESD-609 Kodu

e1

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2007

Max Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Application

AMPLIFIER

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Temel Parça No

MPS650

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Max Power Dissipation

625mW

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Hfemin

75

Voltage Rated Dc

40V

Gain Bandwidth Product

75MHz

Parça Durumu

Obsolete

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

625mW

Transistor Element Material

SILICON

Frekans

75MHz

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)