MMUN2236LT1G

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Power Max

246mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Polarity

NPN

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Max Power Dissipation

246mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Yayın Yılı

2013

Hfemin

80

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

SWITCHING

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

DUAL

Halogen Free

Halogen Free

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

500nA

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

100mA

Number Of Elements

1

Resistor Base R1

100 k Ω

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)