MMUN2134LT1G

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

246mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Hfemin

80

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47

Akım Değeri

-100mA

Transistor Application

SWITCHING

Yüzey Montaj

YES

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Uzunluk

2.9mm

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Voltage Rated Dc

-50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

1

Resistor Base R1

22 k Ω

Temel Parça No

MMUN21**L

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

1.01mm

Genişlik

1.3mm

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Breakdown Voltage

50V

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Pozisyonu

DUAL

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

100mA

Polarity

PNP

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Continuous Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2008

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active