MMUN2114LT1G

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

-50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Uzunluk

3.04mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Contact Plating

Tin

Transistor Application

SWITCHING

Yüzey Montaj

YES

Akım Değeri

-100mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.21

Hfemin

80

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Power Dissipation

246mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Max Output Current

100mA

Max Collector Current

100mA

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Reach Svhc

No SVHC

Genişlik

1.4mm

Max Breakdown Voltage

50V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Yükseklik

1.01mm

Temel Parça No

MMUN21**L

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Number Of Elements

1

Resistor Base R1

10 k Ω

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Supply Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant