
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Emitter Base Voltage Vebo
- -5V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Pin Sayısı
- 16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Gain Bandwidth Product
- 250MHz
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Terminal Sayısı
- 16
- Transition Frequency
- 350MHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 16
- JESD-609 Kodu
- e3
- Max Breakdown Voltage
- 60V
- Yayın Yılı
- 2017
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Weight
- 143mg
- Max Power Dissipation
- 1W
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- MMPQ2907
- Fabrika Tedarik Süresi
- 9 Weeks
- Max Collector Current
- 600mA
- Frekans
- 250MHz
- Hfemin
- 100
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Active
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
- Power Dissipation
- 1W
- Current Collector Cutoff Max
- 20nA ICBO
- Collector Base Voltage Vcbo
- -60V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Number Of Elements
- 4
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Transistor Type
- 4 PNP (Quad)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Reach Svhc
- No SVHC
- Polarity
- PNP
İlgili Ürünler
Stokta
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Stokta
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Stokta
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Stokta
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Stokta
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Stokta
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Stokta
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

