MMJT9435T1G

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Type

PNP

Power Dissipation

1.56W

Hfemin

125

Transition Frequency

110MHz

Max Collector Current

3A

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Yayın Yılı

2007

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Temel Parça No

MMJT9435

Vce Saturation Max Ib Ic

550mV @ 300mA, 3A

Collector Base Voltage Vcbo

45V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

125 @ 800mA 1V

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Max

3W

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

4

Max Power Dissipation

3W

Max Breakdown Voltage

30V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Collectoremitter Saturation Voltage

155mV

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Terminal Sayısı

4

Frekans

110MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Polaritychannel Type

PNP

Akım Değeri

-3A

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)