MMJT350T1G

Teknik Özellikler

Akım Değeri

-500mA

Transistor Application

SWITCHING

Max Breakdown Voltage

300V

Max Power Dissipation

2.75W

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

4

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

Voltage Rated Dc

-300V

Number Of Elements

1

Genişlik

3.7mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Uzunluk

6.7mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

MMJT350

Power Dissipation

1.4W

Transition Frequency

3MHz

Max Collector Current

500mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Formu

GULL WING

Polaritychannel Type

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Case Connection

COLLECTOR

Yayın Yılı

2006

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

30

Transistor Type

PNP

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks