MMBV2101LT1G

Teknik Özellikler

Q Vr F

450 @ 4V, 50MHz

Frequency Band

HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Yayın Yılı

2001

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Diode Capacitancenom

6.8pF

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Additional Feature

HIGH Q, HIGH RELIABILITY

Capacitance Ratio Condition

C2/C30

Quality Factormin

450

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Diode Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Capacitance Ratio

3.2

Voltage Rated Dc

30V

Capacitance Vr F

7.5pF @ 4V 1MHz

Diode Type

Single

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation Max

0.225W

Terminal

SMD/SMT

HTS Kodu

8541.10.00.80

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Reverse Voltage

30V

Temel Parça No

MMBV2101

Diode Cap Tolerance

10%

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Elements

1

Kapasitans

6.1pF