Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Max Breakdown Voltage
- 30V
- Weight
- 30mg
- Akım Değeri
- 50mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 8mA 10V
- Transistor Type
- NPN
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Yayın Yılı
- 2002
- Genişlik
- 1.3mm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30V
- Continuous Collector Current
- 50mA
- Number Of Elements
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Terminal Formu
- GULL WING
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Max Power Dissipation
- 225mW
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Sayısı
- 3
- Frekans
- 400MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Collector Base Voltage Vcbo
- 40V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Uzunluk
- 2.92mm
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yükseklik
- 930μm
- Hfemin
- 30
- Element Configuration
- Single
- Lifecycle Status
- LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Polaritychannel Type
- NPN
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Max Collector Current
- 50mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Pin Sayısı
- 3
- Gain Bandwidth Product
- 400MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- MMBTH24
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors