Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 60 @ 4mA 10V
- Transistor Type
- NPN
- Power Max
- 265mW
- Element Configuration
- Single
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 500mV
- Yükseklik
- 550μm
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 25V
- Kılıf / Paket
- SOT-723
- Max Collector Current
- 4mA
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Polaritychannel Type
- NPN
- Yüzey Montaj
- YES
- Genişlik
- 850μm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Yayın Yılı
- 2009
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Power Dissipation
- 640mW
- Max Power Dissipation
- 640mW
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fabrika Tedarik Süresi
- 2 Weeks
- Gain Bandwidth Product
- 650MHz
- Pin Sayısı
- 3
- Number Of Elements
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Temel Parça No
- MMBTH10
- Terminal Formu
- FLAT
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Uzunluk
- 1.25mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Sayısı
- 3
- Pin Sayısı
- 3
- Parça Durumu
- Active
- Frekans
- 650MHz
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors