MMBTH10M3T5G

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 4mA 10V

Transistor Type

NPN

Power Max

265mW

Element Configuration

Single

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Yükseklik

550μm

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Kılıf / Paket

SOT-723

Max Collector Current

4mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Polaritychannel Type

NPN

Yüzey Montaj

YES

Genişlik

850μm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2009

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

640mW

Max Power Dissipation

640mW

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Gain Bandwidth Product

650MHz

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MMBTH10

Terminal Formu

FLAT

Emitter Base Voltage Vebo

3V

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

1.25mm

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Frekans

650MHz

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant