MMBTA14LT1G

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

225mW

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Number Of Elements

1

Polarity

NPN

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Uzunluk

2.9mm

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20000 @ 100mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 100μA, 100mA

Transistor Type

NPN - Darlington

Halogen Free

Halogen Free

Max Breakdown Voltage

30V

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5V

Weight

1.437803g

Akım Değeri

300mA

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Continuous Collector Current

300mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

1.3mm

Yayın Yılı

2006

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation

300mW

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MMBTA14

Voltage Rated Dc

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free