MMBTA13LT3G

Teknik Özellikler

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Uzunluk

3.04mm

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Frequency Transition

125MHz

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Transition Frequency

125MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

225mW

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

225mW

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Surface Mount

Polarity

NPN

Temel Parça No

MMBTA13

Terminal Formu

GULL WING

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

300mA

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

1.4mm

Yayın Yılı

2009

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10000 @ 100mA 5V