MMBTA06WT1G

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

150mW

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Frekans

100MHz

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Uzunluk

6.35mm

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Weight

4.535924g

Max Breakdown Voltage

80V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Akım Değeri

500mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 100mA 1V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Transistor Type

NPN

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Genişlik

6.35mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2005

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Current Collector Cutoff Max

100nA

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Gain Bandwidth Product

100MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Temel Parça No

MMBTA06

Power Dissipation

150mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free