MMBTA05LT3G

Teknik Özellikler

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Genişlik

2.64mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2007

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Current Collector Cutoff Max

100nA

Max Breakdown Voltage

60V

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Akım Değeri

500mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 100mA 1V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Transistor Type

NPN

Terminal Sayısı

3

Frekans

100MHz

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Uzunluk

3.04mm

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

225mW

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

500mA

Yükseklik

1.11mm

Hfemin

100

Element Configuration

Single

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant