MMBT8099LT1

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Kurşunsuz Kodu

no

Yayın Yılı

2001

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Collector Current

500mA

Current Collector Cutoff Max

100nA

Max Breakdown Voltage

80V

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Akım Değeri

500mA

Qualification Status

Not Qualified

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

Element Configuration

Single

Hfemin

100

Transistor Type

NPN

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Transition Frequency

150MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Transistor Application

AMPLIFIER

Voltage Rated Dc

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Gain Bandwidth Product

150MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING