MMBT6521LT1G

Teknik Özellikler

Hfemin

150

Transistor Type

NPN

Reach Svhc

Unknown

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Element Configuration

Single

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 2mA 10V

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Akım Değeri

100mA

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Contact Plating

Tin

Max Collector Current

100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2006

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

225mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

300mW

Terminal Formu

GULL WING

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

25V

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Radyasyon Dayanımı

No

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

Parça Durumu

Active